输出电压可调,高压交流220V非隔离BUCK电路芯片,非常适用于智能照明,智能家电控制产品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP35064内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。这款芯片适用于WIFI模块供电。江苏低功耗30V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片
低功耗18V降压DCDC芯片,采用SOT23-6封装的4.5V至17V输入、2A输出、600kHz同步降压转换器KP52220XA是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。它具有4.5V到17V的宽输入电压范围,非常适合于12V和15V等各种常见的输入电压轨。它支持高达2A的持续输出电流,输出电压范围为0.768V至7V。KP522201A轻载工作在脉冲频率调制模式(PFM)下以维持高轻载效率;KP522208A工作在强制脉宽调制模式(FPWM)下以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。KP52220XA集成了完善的保护功能,包括输入欠压保护(UVLO),逐周期谷底限流保护(OCL),输出欠压打嗝保护(UVP),输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP),以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。KP52220XA采用小尺寸的SOT23-6封装,工作结温范围为-40℃到125℃。辽宁低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制芯片静态工作电流典型值为 200uA。如此 低的工作电流降低了对于 VDD 电容大小的要求, 同时也可以提高系统效率。
芯片内部集成有AC同步检测电路,该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后,内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容,导致Drain端电压可能过高,芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题,芯片内部设计了主动式泄放电路:该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道,并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制,确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外,当各种保护(UVP,OLPorOTP)发生时,主动式泄放电路也将打开,对VDD电容进行充电,同时对Drain端寄生电容进行放电,以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。
芯片引脚内部有一个上拉电流源(IEN(P)),使得芯片在EN 引脚外部悬空时处于使能状态。同时,上拉电流源同样也可被用于设置外部VIN UVLO 功能的电压阈值和迟滞。引脚EN 引脚电压 VEN 由 VIN 分压得到,当VEN 随着 VIN 上升而大于VEN(R) 时,额外的一个上拉迟滞电流源(IEN(H)) 会被打开从而改变VEN 的电压比,实现上升和下降阈值分别自定义配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以计算得到指定VIN UVLO 阈值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置,其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 为自定义配置的输入启动电压和关闭电压值。集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路。
高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关,适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺,在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部,芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能,在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时,芯片设计有轻重载模式,可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能:VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•集成采样电阻,**系统成本•支持**压输入(15V以上)应用•支持降压电路•开关式峰值电流模式控制•**待机功耗小于50Mw•比较高45kHz开关频率•**工作电流,支持小VDD电容•集成软启动电路•集成式保护功能:•过载保护(OLP)•过热保护(OTP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•前沿消隐(LEB)•VDD欠压保护•封装类型SOP-4采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应。安徽AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片样品
在此过程中高压MOSFET 不 允许导通,同时VDD 电容上电压持续在6.2V 和 7V 之间振荡。江苏低功耗30V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片
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